基于Si／Si1-xGex／Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算

来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shengwei05

【摘要】

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采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比

【作者】

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张乒曾健平文剑田涛

【机构】

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湖南大学

【出处】

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真空电子技术

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

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双极型异质结双极性晶体管微波功率器件 si1-xGe 数值方法 Bipolar HBT Microwave power device Si_(1-x)

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采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300 K时关于Ge组分变化的方程.并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符,并得到一个最佳的Ge组分值.

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