【摘 要】
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采用BCD工艺设计了一中宽电源电压输入、多通道张弛振荡器电路,文中提出的一种片上电源变换电路以及一种基于张弛振荡器的时钟产生电路,克服了宽电源范围供电情况下对低压振
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学,中国科学院硅器件技术重点实验室
【基金项目】
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国家重点预研项目(31516040204)
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采用BCD工艺设计了一中宽电源电压输入、多通道张弛振荡器电路,文中提出的一种片上电源变换电路以及一种基于张弛振荡器的时钟产生电路,克服了宽电源范围供电情况下对低压振荡器的要求,在降低电压变换电路复杂性的同时降低了频率对电压的敏感性,可应用于单电源高压供电芯片.在电源电压VDDH为典型值24V情况下,逻辑低电平VDDL温度系数为290ppm/℃;电源电压从0跳变到24V时,VDDL稳定5V仅需0.16μs;27℃情况下,电源电压VDDH从7V到40V变换情况下,VDDL电平变化1.72%.27℃情况下,在7
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