【摘 要】
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对一种国产GaInP／GaAs／Ge三结太阳电池进行了1MeV电子辐照损伤研究，分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明，这种电池不但有很高的初始效率，而且有好
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院研究生院,天津电源研究所
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对一种国产GaInP／GaAs／Ge三结太阳电池进行了1MeV电子辐照损伤研究，分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明，这种电池不但有很高的初始效率，而且有好的抗辐射性，电子注量达到1×10cm^2时，最大输出功率为辐照前的80．4％。辐照后GaInP顶电池几乎不发生退化，而GaAs中间电池短路电流严重退化，致使GaInP顶电池与GaAs中间电池电流失配，是GaInP／GaAs／Ge电池性能退化的主要原因。
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