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介绍了单晶硅压力传感器温度漂移的机理，阐述了采取串并联电阻网络和有源电路分段等综合补偿方法的补偿原理。实验结果表明：在－45～85℃温区内，补偿后，热零点漂移和热灵敏度漂移从±0．5％FS／℃提高到±0．014％FS／℃。
单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法
【摘 要】
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介绍了单晶硅压力传感器温度漂移的机理，阐述了采取串并联电阻网络和有源电路分段等综合补偿方法的补偿原理。实验结果表明：在－45～85℃温区内，补偿后，热零点漂移和热灵敏度漂移从&#
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十九研究所
【出 处】
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传感器与微系统
【发表日期】
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2006年7期
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