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介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延（ALE）的国内外进展。以GaAs为例，讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种：一种是吸附质阻挡机理，即Ga-（CH3）3在表面发生热解，最终Ga（CH3），（x=1或2）在表面吸附，依靠Ga（CH3）3中CH3的空间位阻效应，表面反应自动停止；另一种是选择性吸附机理，即Ga（CH3）3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子，当表面完全覆盖一层Ga原子，即表面Ga原子饱和，表面反应自动停止。还介绍了ALE生长中的气