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对功率器件中常用的体连接技术进行了改进，利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI（硅-绝缘体）CMOS工艺兼容的工艺流程，在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑，未呈现翘曲现象，说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。当漂移区长度为2μm时，开态击穿电压达到10V，最大跨导17．5mS／mm。当漏偏压为5V时，SOI器件的泄漏电流数量级为1nA，而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA。电学性能表明，这种改善的体连接技术能制备出