采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应

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【摘要】

：

制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.

【作者】

：

宋文斌许高博郭天雷韩郑生

【机构】

：

中国科学院微电子研究所中国科学院微电子研究所北京

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年5期

【关键词】

：

部分耗SOI 鸟嘴效应边缘电场效应反向窄沟道效应杂质重新分布 PD SOI bird beak effect fringing field Inve

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制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.

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