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本文用高分辨弯晶谱仪对0.666MeV/amu的质子和α粒子激发Al的K_αx射线进行了研究。测量了K壳层一个空位和L壳层多个空位产生的x射线相对强度比。将测定的平均电离几率P_L(E_i,0)和BEA理论的预言值进行了比较。结果表明:BEA理论对质子和α的数据符合得很好。更多还原
P和α引起Al原子内壳层多电离的研究
【摘 要】
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本文用高分辨弯晶谱仪对0.666MeV/amu的质子和α粒子激发Al的K_αx射线进行了研究。测量了K壳层一个空位和L壳层多个空位产生的x射线相对强度比。将测定的平均电离几率P_L(E_
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所,英国纽约州立大学阿伯尼分校物理系
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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1990年1期
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