【摘 要】
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ＭＯＳＦＥＴ栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏电流指数增强，本文报道Ｎ２Ｏ中退火ＳｉＯ２（两步法）生成超薄（５．５ｎｍ）氮氧化硅（ＳｉＯｘＮｙ）栅ＮＭＯＳＦＥＴ中的ＧＩＤＬ效应，包括器件尺寸，偏置电压和热载流子效应的影响，发现ＧＩＤＬ在一定的偏置下成为主要的
【基金项目】
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国家教委博士后基金,,国家05攻关资助
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ＭＯＳＦＥＴ栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏电流指数增强，本文报道Ｎ２Ｏ中退火ＳｉＯ２（两步法）生成超薄（５．５ｎｍ）氮氧化硅（ＳｉＯｘＮｙ）栅ＮＭＯＳＦＥＴ中的ＧＩＤＬ效应，包括器件尺寸，偏置电压和热载流子效应的影响，发现ＧＩＤＬ在一定的偏置下成为主要的泄漏机制，且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用，二维器件模拟结果指出，与ＳｉＯ２栅ＮＭＯＳＦＥＴ相比，ＬＤＤ掺杂结构使ＳｉＯｘＮｙ栅ＮＭＯ
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