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晶片在双面抛光加工过程中具有多向运动、受力复杂，表面材料微细去除的特征，晶片的运动和受力是影响双面抛光加工质量的主要因素。本文通过分析双面抛光加工时晶片的运动规律和受力状态，建立了双面抛光加工时晶片运动的数学模型。研究结果表明，晶片的运动是行星运动和自转运动的合成，当晶片质量和惯性矩较小并可以忽略时，晶片的自转速度与抛光压力、抛光垫和晶片表面间的摩擦状态无关，而与行星轮和晶片端面间的摩擦状态、行星轮系统运动参数和抛光盘转速有关。