一种新型介质槽隔离SiCOI MESFET

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiangjinsong

【摘要】

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提出了一种新型的SiCOI MESFET器件结构,即介质槽隔离SiCOI MESFET.模拟结果表明,新型结构器件与常规平面SiCOI MESFET器件相比,击穿电压得到很大提高,从380 V提高到近1100 V

【作者】

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龚欣张进城郝跃

【机构】

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西安电子科技大学微电子所

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

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绝缘体上碳化硅肖特基栅场效应晶体管介质槽隔离击穿电压 SiCOI MESFET dielectric groove isolation bre ak

【基金项目】

：

国家预研基金

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提出了一种新型的SiCOI MESFET器件结构,即介质槽隔离SiCOI MESFET.模拟结果表明,新型结构器件与常规平面SiCOI MESFET器件相比,击穿电压得到很大提高,从380 V提高到近1100 V,而饱和漏电流和跨导下降.但通过器件结构的优化设计可以保障在击穿电压提高的同时漏电流和跨导不会发生大的退化.该器件结构为高温、抗辐照和大功率集成电路研制打下基础.

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