【摘 要】
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采用溶胶-凝胶工艺制备了Si基Ag/Bi4Ti3O12栅铁电场效应晶体管.研究了Bi4TiaO12铁电薄膜厚度、栅宽/长比等器件结构参数对性能的影响.研究表明:铁电场效应晶体管的阈值电压、
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采用溶胶-凝胶工艺制备了Si基Ag/Bi4Ti3O12栅铁电场效应晶体管.研究了Bi4TiaO12铁电薄膜厚度、栅宽/长比等器件结构参数对性能的影响.研究表明:铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随Bi4Ti3O12薄膜厚度的增加而线性变化,跨导和漏-源电流在不同的栅宽/长比范围变化趋势不同,当Bi 4Ti3O12厚度为200～400 nm、Wg/Lg取1～2时,器件可获得较好的综合性能,不同栅压变化过程的Ⅰad-Ⅴad特性曲线并不重合,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性.
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