【摘 要】
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本实验用常压化学气相沉积法（ ＡＰＣＶＤ） 在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发现在７００ ℃以下，ＮＨ３／ＳｉＨ４ 流量比例为１５／１ 时制得较纯的氮化
【机 构】
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浙江大学,浙江大学,浙江大学,浙江大学,浙江大学
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本实验用常压化学气相沉积法（ ＡＰＣＶＤ） 在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜，研究了基板温度、反应气体比例、热处理等对氮化硅薄膜制备的影响，发现在７００ ℃以下，ＮＨ３／ＳｉＨ４ 流量比例为１５／１ 时制得较纯的氮化硅薄膜，比常规ＡＰＣＶＤ 法制备温度低大约１５０ ℃。
In this experiment, a silicon nitride film was deposited on a flat glass substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD). The effects of substrate temperature, reaction gas ratio and heat treatment on the preparation of the silicon nitride thin film were investigated. It was found that under 700 C, When pure NH3 / SiH4 flow ratio is 15/1, purer silicon nitride film is obtained, which is about 150 ℃ lower than that of conventional APCVD method.
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