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提出了一个实现全耗尽与部分耗尽自动转换的体接触SOILDMOS连续解析表面势模型．采用PSP的精确表面势算法求解SOI器件的表面势方程，得到了解析的以栅压和漏压为变量的SOI器件正、背硅／氧化层界面的表面势．修正了全耗尽状态下的反型层电荷和体电荷表达式，结合PSP的模型方程，给出连续解析的体接触SOILD-MOS直流模型．仿真结果与实验数据比较，二者吻合得很好，表明该模型能精确表征SOILDMOS直流特性．