不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究

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【摘要】

：

基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-

【作者】

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李辉龙海洋姚然王晓钟懿李金元

【机构】

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重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室,全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室

【出处】

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电力自动化设备

【发表日期】

：

2020年8期

【关键词】

：

压接型IGBT 全压接封装银烧结封装多物理场建模电-热应力分析 press pack IGBTfully pressure packagesilver s

【基金项目】

：

国家自然科学基金智能电网联合基金资助项目(U1966213),国家重点研发计划项目(2016YFB0901800)

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基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGBT器件的电-热性能,并通过实验平台验证所建模型的合理性;然后研究了3.3 kV/1500 A多芯片压接型IGBT模块的电-热应力,并探究了不同封装压接型IGBT器件电-热应力存在差异的原因;最后比较了2种封装压接型IGBT器件内部的电-热应力随夹具压力和导通电流

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