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研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。
PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究
【摘 要】
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研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。
【机 构】
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泉州轻工职业学院机电工程系
【出 处】
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科技创新导报
【发表日期】
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2012年32期
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