【摘 要】
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采用热解析法初步研究了铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为。研究结果表明：同种元素铒中离子注入氦的热释放峰位相同,但膜的致密性将影响氦的释放量,结构疏松的膜中存在的孔洞
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,电子科技大学物理电子学院
【基金项目】
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国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金项目（10976007）, 中国工程物理研究院科学技术基金项目（2009A0301015）
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采用热解析法初步研究了铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为。研究结果表明：同种元素铒中离子注入氦的热释放峰位相同,但膜的致密性将影响氦的释放量,结构疏松的膜中存在的孔洞是氦的快速释放通道;在相同注入剂量和能量条件下,铒、钪膜中注入氦的热释放峰位不同,这可能与氦在铒、钪膜中的深度分布及膜的致密性有关,利用质子增强背散射法测量出能量为60keV的4 He＋在铒、钪膜中的注入深度分别为210,308nm。
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