【摘 要】
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使用多晶CuAlO2陶瓷靶，利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜。傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键。在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,北京工业大学材料科学与工程学院
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使用多晶CuAlO2陶瓷靶，利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜。傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键。在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性，衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60％-70％之间，计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3．52eV和1．83eV左右，与多晶CuAlO2薄膜结果一致。在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制，其电导率随衬底温度的升高先增大后减小，500℃沉积的薄膜导电性较好，室温电导率达到
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