【摘 要】
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利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱（PL）、深能级瞬态谱（DLTS）以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,华瑞科学仪器（上海）有限公司传感器工程技术中心
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利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱（PL）、深能级瞬态谱（DLTS）以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[In（Cd）^＋],同时[In（Cd）^＋]还与[V（Cd）^（2-）]形成了能级位于Ev＋163meV的复合缺陷[（In（Cd）^＋-V（Cd）^（2-））^-].DLTS分析表明,
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