【摘 要】
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利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,华瑞科学仪器(上海)有限公司传感器工程技术中心
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利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[In(Cd)^+],同时[In(Cd)^+]还与[V(Cd)^(2-)]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(In(Cd)^+-V(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,
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