缺陷能级相关论文
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制，基于栅控电荷分离方法，对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效......
目前,基于III族氮化物半导体材料的发光二极管（Light-emitting diodes,LEDs）已经取得了巨大进步,尤其在蓝光LED领域。发光二极管具有......
在石油、煤炭等传统能源消耗量急剧增长的今天,具有可再生和利用成本低等优点的太阳能成了一个热点.随着新型太阳能电池一薄膜太阳......
研究了电荷耦合器件(CCD)位移辐射效应的损伤机理。分析了位移损伤诱发的体缺陷对CCD工作性能的影响。研究了位移损伤导致CCD电荷......
为了开发n型半导体金刚石薄膜和提高金刚石薄膜的机械性能,本项目提出出了一种新型的Si-N共掺杂金刚石薄膜,采用了第一性原理计算......
氧化镓是一种新兴第四代宽禁带半导体材料（4.9 e V）,理论击穿场强可达到8 MV/cm,在高功率电力电子器件及深紫外探测器件领域具有广阔......
近年来,阻变存储器由于其结构简单、操作速度快、功耗低、读写速度快等优点而受到人们的广泛关注,成为下一代非易失性存储器的潜在......
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,......
初步研究了沟道长为0.18mm的超深亚微米LDD NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理；数值模拟了0.18mm LDD NMOSFET的......
本文报道了在室温下，用飞秒脉冲激光低强度激发诱导光致发光谱，获得氧化锌纳米颗粒（平均直径约为10nm）缺陷发光光谱的实验。探讨了氧化......
GaN基Ⅲ-V族化合物半导体材料以其独特的特性,在微电子器件应用方面展现出巨大的优势和潜力。然而,在材料中缺陷研究方面尚有诸多......
二硫化钼(MoS2)作为一种新型的二维层状半导体材料,因其独特的分子结构、可观的禁带宽度等优良特性,已经成为了国内外材料相关领域......
在晶体中掺杂能够增强其光折变效应,这是一种获得优良光折变材料的好方法.在光折变材料实现工业化应用的过程中,弄清楚掺杂离了在......
AlxGa1-xN/GaN宽禁带半导体异质结构体系是发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构，深受国际上的关注，是当前半导......
本文采用化学溶液法制备一维ZnO纳米和亚微米棒，研究了其结构，形貌，生长机理和发光特性。同时还用固相反应法制备了稀土掺杂的ZnO纳......
用溶胶-凝胶法制备了Eu3+离子掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜并研究了退火温度对复合薄膜的光致发光的影响。并采用XRD、Raman和光致发光......
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺......
GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究......
在改进的Ginder-Epstein模型下,得到了碱式聚苯胺的高激发态极化子.同普通极化子对比,它的晶格畸变更宽、更深,带隙中的两个缺陷能......
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,U......
介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间(t)(n)和......
用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结......
以Zn(NO3)2和NaOH为原料,在不使用任何添加剂的条件下,采用水热合成法在不同的合成时间和合成温度下制备棒状纳米ZnO颗粒。通过X射......
本文研究了ＮＴＤ硅，经电子辐照缺陷的等时退火特必最五个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３和Ｅ４级有比它三个能级的热稳定性更好。......
分析了SiGeHBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件，对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子......
用柠檬酸盐法合成了不同掺杂浓度的纳米ZnO，粒径约为15nm。探讨了Sb掺杂对ZnO光致发光峰的影响。随着掺杂量的提高，样品的发射峰从42......
用深能级瞬态谱（DLTS）法,结合表面光伏（SPV）法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延（LPE）、汽相外延（VPE）GaAs层逐次引入的......
用实空间 Recursion方法计算 (Cd Se) 1 / (Zn Se) 1 应力半导体材料的总态密度、局域态密度、分波态密度 ,研究了局域特性和缺陷......
采用化学气相沉积法,通过金属镓和氨气的直接反应,在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用XRD和SEM对制备的GaN纳米线进行了结构和形貌......
在不同的氧气分压下, 用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜试样, 测试了试样的荧光发射光谱. 结果表明, 氧气分压为0.35和0.......
提出了双层有机电致发光二极管ITO／PPV／PBD／巳复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响：在电压为6～7．5V时，复合效率随......
利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＾＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复......
以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型，运用LCAO-Recursion方法研究了（GaN）n／（AlN）n（001）应变层超晶格的电子结构．由计算结果分析......
一维光子晶体缺陷模的光谱特性与缺陷模的结构紧密相关。当缺陷模中包含有多个缺陷时,将导致光子禁带中出现多个分立的缺陷能级,形......
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱（PL）、深能级瞬态谱（DLTS）以及霍尔测试等手段研究了I......
TiO2 films have been deposited on glass substrates using DC reactive magnetron sputtering at different oxygen partial pr......
从第一个晶体管的发明、到大规模集成电路以及各种电子器件的广泛应用,半导体在日常生产、生活中发挥着越来越重要的作用。在半导......
用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关，对线性模式输出超短电脉冲响应特性进行了测试，并对所测试的实验结果进行理论分析。分别给......
材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无......
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p~+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空......
ZnO为直接带隙的宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV;特别的,其激子束缚能高达60 meV。因此,ZnO在室温或更高温度下的紫外发光......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
宽带隙半导体碳化硅(SiC)具有高热导率、高电子饱和漂移速度以及大的临界击穿场强,使得其有望成为大功率电力电子器件的首选材料。......
