【摘 要】
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研究了锆钛酸铅（PZT）薄膜的深槽反应离子刻蚀（DRIE）技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下（SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar）刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工艺气氛下,刻蚀速率都随功率的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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研究了锆钛酸铅（PZT）薄膜的深槽反应离子刻蚀（DRIE）技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下（SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar）刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工艺气氛下,刻蚀速率都随功率的增加而增加。相同功率下,SF6/Ar的刻蚀速率最高;而CHF3/Ar刻蚀PZT的图形形貌最好,对光刻胶的选择比也最好。最后得出了优化的工艺条件为采用CHF3/Ar,射频（RF）功率为160 W,气体流量比为3∶4（CHF3∶Ar=30 cm3/min：40 cm3/min）时,PZT薄膜的刻蚀速率为9
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