【摘 要】
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利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO：Al薄膜（简称AZO薄膜）.研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高
【机 构】
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中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室
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利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO：Al薄膜（简称AZO薄膜）.研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm^-3,迁移率为29.7cm^2·V^-1·s^-1.
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