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介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况,碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE).对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究.
碳化硅薄膜生长技术的研究进展
【摘 要】
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介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况,碳化硅外延生长大多采用溅射法(sputting)、化学气相淀积(CVD)和分子束外延(MBE).对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究
【机 构】
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山东商业职业技术学院计算机与电子技术学系,山东师范大学物理与电子科学学院
【出 处】
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山东师大学报(自然科学版)
【发表日期】
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2004年2期
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