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作者利用同位素跳跃技术来探讨了气相压强促进渡金属表面吸附分子脱附这一新现象的机理。获得了３５３Ｋ下饱和吸附Ｃ＾１６Ｏ的Ｒｅ（０００１）表面的超高真空等温脱附和不同气相压强的同位素Ｃ＾１８Ｏ交换的谱图。
气相存在下过渡金属表面脱附动力学机理的研究
【摘 要】
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作者利用同位素跳跃技术来探讨了气相压强促进渡金属表面吸附分子脱附这一新现象的机理。获得了３５３Ｋ下饱和吸附Ｃ＾１６Ｏ的Ｒｅ（０００１）表面的超高真空等温脱附和不同气相压强的同位素Ｃ＾１８Ｏ交换的谱图。
【机 构】
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中国科学院大连化学物理研究所
【出 处】
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化学研究
【发表日期】
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1999年2期
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