【摘 要】
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采用射频磁控溅射法制备了非晶铟锌钨氧化物（a-IZWO）薄膜和以此半导体薄膜为沟道层的薄膜晶体管。研究了沟道宽长比和退火时间对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比为400
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61471126);上海市科委科研计划项目(16JC1400603)
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采用射频磁控溅射法制备了非晶铟锌钨氧化物（a-IZWO）薄膜和以此半导体薄膜为沟道层的薄膜晶体管。研究了沟道宽长比和退火时间对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比为400μm:400μm的器件经过120min200℃空气退火后其电学性能达到最佳,场效应迁移率达到7.29 cm2/Vs,阈值电压为-2.86 V,电流开关比超过107,亚阈值摆幅低至0.13 V/decade。偏压稳定性测试结果证实了器件的偏压稳定性主要受到沟道层缺陷、背沟道表面氧离子和H2O+离子吸附等因素的影响。随着器件沟道宽长比不断增大,退火时间不断延长,器件受到这些因素的影响变小,稳定性越来越好。
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