【摘 要】
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利用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)研究SiO2薄膜低温制备工艺,分析工艺条件对薄膜性能参数影响,通过调节射频功率优化薄膜应力,在150℃低温下获得接近零应力SiO2薄膜,薄膜沉
【机 构】
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中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
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利用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)研究SiO2薄膜低温制备工艺,分析工艺条件对薄膜性能参数影响,通过调节射频功率优化薄膜应力,在150℃低温下获得接近零应力SiO2薄膜,薄膜沉积速率约为40nm/min,片内均匀性优于3%,折射率为1.46±0.003,并具有良好的附着力和抗蚀性能。由于沉积温度低,薄膜性能好,因此可以作为绝缘层或介质层,应用于柔性电子领域。
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