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高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值，从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici，研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响，优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象，运用沟道长度调制效应给出了解释。