沟槽MOSFET相关论文
本文基于仿真和实验方法，开展了100VN 沟槽MOSFET的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈......
面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDs(on)功率MOSFET能有新的进展.虽然近年来沟槽栅极结构和超高单......
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值，从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和M......
研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响。以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽......
沟槽功率MOSFET作为一种新型垂直结构器件,拥有开关速度快、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、温度特性好、无二次击穿问题等......
随着市场对于更高效的电源供给器件和更耐久供电的电源电子器件的需求日益增长,如何提高电源管理系统效率的研究成为十分重要的课......
