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本文论述了全离于注入高压低导通电阻VDMSFET的设计思想及制造工艺。详细分析了管芯制造过程中离子注入的杂质浓度和分布曲线,以及离子注入所带来的问题及处理方法,并且介绍了几种隔离介质的实验结果。
全离子注入高压低导通电阻VDMOSFET设计及研制
【摘 要】
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本文论述了全离于注入高压低导通电阻VDMSFET的设计思想及制造工艺。详细分析了管芯制造过程中离子注入的杂质浓度和分布曲线,以及离子注入所带来的问题及处理方法,并且介绍
【机 构】
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天津第四半导体器件厂,天津第四半导体器件厂
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1990年5期
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