【摘 要】
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MoS2与其他半导体的异质结一般采用二次生长法,该方法比较费时,而且容易产生聚集,针对该问题,本文采用高压釜水热法一次制备出了MoS2/SnO2与MoS2/SnS2的复合物,利用透射电子
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11374236,11674254)
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MoS2与其他半导体的异质结一般采用二次生长法,该方法比较费时,而且容易产生聚集,针对该问题,本文采用高压釜水热法一次制备出了MoS2/SnO2与MoS2/SnS2的复合物,利用透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和紫外-可见-近红外分光光度计（UV-vis-NIR）对样品进行了表征.实验结果显示,复合结构中,MoS2为二维少层结构,制备过程中的NH4+对MoS2二维结构的成形有促进作用;通过调整钼源与锡源的比例,发现将SnCl4与（NH4）6Mo7O24中金属离子摩尔比调整为9∶1时,可以稳定得到MoS2/SnS2的二维材料.通过分析其生长机理可知,金属盐水解引起的溶液酸碱性变化及相互影响,对复合结构的成型起主要作用.
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