【摘 要】
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对硅中新施主特征发光谱K线(hv=0.902eV)的顺磁共振研究表明,它的发光中心是分子型等电子中心,发光跃迁是两个S=1/2的电子和空穴构成的束缚激子的辐射复合,观察到gh=1.997±0
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对硅中新施主特征发光谱K线(hv=0.902eV)的顺磁共振研究表明,它的发光中心是分子型等电子中心,发光跃迁是两个S=1/2的电子和空穴构成的束缚激子的辐射复合,观察到gh=1.997±0.001,且为各向同性,这说明等电子中心具有空穴吸引性的局域势。本文的结果进一步支持了作者关于K线发光机制的建议。
The paramagnetic resonance study on the K line (hv = 0.902eV) of new donor characteristics in silicon shows that its luminescent center is the molecular isocomponent electron center, and the luminescence transition is composed of two electrons and holes with S = 1/2 Of the bound excitons radiative recombination, observed gh = 1.997 ± 0.001, and are isotropic, indicating that the isoelectronic centers have hole-attracting local potentials. Our results further support the author’s suggestion on the K-line emission mechanism.
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