双极集成电路相关论文
掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、......
双极集成电路版图识别和电路提取是“双极模拟集成电路计算机辅助剖析和验证系统”的核心部份。本文着重论述这一部份的数据结构、......
Y99-61516-266 9913169混合静态和多米诺逻辑电路的定时最佳化=Timingoptimization of mixed static and domino logic[会,英]/Zh......
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出三款专为便携式通信及视频系统而设的全新高速LMH放大器。这三......
1995年11月27日,由中国电子部主办的北京大学“八五”国家重点科技项目专题鉴定会在燕园圆满结束。 在刚刚过去的第八个五年计划......
作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价......
一、引言随着计算技术和集成电路技术的发展,要求提供一种存取周期性短,读写速度快,使用方便灵活的存贮体能与运算部件的工作相匹......
本文总结了做为大规模集成电路新系列的三层结构逻辑(3JL) 电路的测试方法与线路设计要点,并附有研制过程中的数据和结果,提出了几......
最近,美刊《Electronics》1975年V01.48,No.14报导了美国四个最大的双极集成电路厂家以及几个比较小的厂家的情况。Texas在I~2L(......
引言 如双极型集成电路中加入肖特基势垒二极管(简称SBD),则由于它的箝位作用,不仅使集成电路(简称IC)的传输时间加快,而且降低其......
随着半导体设备更加大形化,因而对器件低功率化、高可靠性的要求就日益强烈。双极集成电路速度快,但消耗功率大,组装密度不高。MO......
1972年美国半导体工业产值达到16.5亿美元,比1971年增长13％;其中MOS集成电路发展最快,只是数字双极集成电路稍有下降,线性电路也提......
关系、。。。,………。。。。。一………………………………一(30) 颗目 W o 对称双光敏管的设计和应用。......
最近,日立制作所开发了一种新技术,即用PN结将NPN晶体管与铝栅CMOS隔离开来,并以比较简单的结构制作在同一芯片上(Matsuda T. et ......
采用新型的逻辑结构,将高集成度,低功耗性能带给双极集成电路的I~2L,因其逻辑电路的通用性,被公认为是有发展前途的双极大规模集......
一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以......
认为“双极速度快、功耗大”,“MOS速度慢”等的常识已不复成立。MOS方面有取数时间为35毫微秒高速4k静态RAM。另外,双极电路也能......
目前,集成电路中最常使用的隔离技术仍是PN结隔离。这种方法是利用反向偏压PN结来实现元件之间的隔离,虽然它是用通常杂质扩散技......
还需要一段时间才能有可信的运行经验和失效分析数据作为MOS/LSI(金属-氧化物-半导体/大规模集成)器件可靠性预测的基础。与此同时......
由于 MOS 集成电路比双极集成电路制造工艺简单,容易高度集成化,其应用范围正在愈来愈广泛。对于 MOS 集成电路使用中的故障,主要......
本文叙述了采用溴做为硅的一种汽相腐蚀剂在外延生长之前进行就地腐蚀的一些结果。并分别给出了溴汽相腐蚀速度与溴的浓度及温度之......
GTL 的原理金扩散晶体管逻辑(GTL)由接近本征的高电阻和常规的金扩散npn 晶体管组成。由于上述的金扩散,GTL 的各元件已自隔离,再......
二、用金属—氧化物—半导体设计逻辑用两种普通的金属—氧化物—半导体电路就可实现数字逻辑功能:(1)普通的直流或静态逻辑采用......
最近,绝缘衬底上的硅膜相当受人重视,因为减少了在薄膜中制作的相邻器件间交流和直流的相互影响。最感兴趣的是集中在蓝宝石和尖......
说明硅的局部氧化技术可用于制造许多新的或改进了的器件结构。在双极集成电路中可以用氧化壁隔离来代替通常的隔离扩散,这有可能......
随着情报处理系统向高性能化发展,对双极的单块集成电路高速化的要求也越来越强了。以前,做为适应这种要求的方法,从电路设计、制......
本文描述了用于双极集成电路制造的氧化物隔离等平面Ⅰ工艺过程。隔离氧化是用Si_3N_4膜掩蔽、由低温、高压水汽氧化实现的。为解......
研究了多孔硅膜的制备、性质和应用。在低于临界电流密度的电流下,在浓氢氟酸中进行阳极处理使硅单晶转变成多孔硅膜。当 N 型硅作......
一、序言近年来,随着集成电路的发展和固体器件的高频化,要求硅外延片的生长层厚度要很薄,且在与基片的界面处杂质分布很徒。这样......
工 作 报 告 期(页)多晶硅电学特性研究之V:多晶硅熔丝的电编程性质…………………………·…(1)湿氧差值氧化工艺研究……………......
本文主要介绍,经适当的热处理,使硅片内部具有吸除表面层的杂质和缺陷的技术及吸除效果的检验方法.同时也简要地介绍了吸除技术在......
逻辑大规模集成电路 规模大和多样化的门阵电路 在逻辑门阵列领域,正在向着大规模集成和品种多样化的方向发展(表Ⅲ)。CMOS门阵芯......
双极集成电路要实现超大规模集成化和高速化,一方面要缩小元件尺寸,另一方面必须改进元件之间的隔离方法.用U型槽隔离技术不仅缩小......
采用各种实验技术的综合方法,发现了双极集成电路中的闭锁通道。用电压衬度扫描电子显微技术作为分析闭锁通道的内部探测。从6种器......
本文着重从理论上阐述硅外延材料用于MOS CCD器件与VLSI的优越性,分析了制备中存在的问题,提出了解决方法。
This paper focuses ......
本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体......
本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、......
盯育第一章序论 1。i集成电路工程 1.2集成电路分类 1.3典型集成电路工艺第二章半导体物理 2.1价键模型 礼2能带棋型 乳3本征载流......
本文介绍n阱CMOS与BIPOlAR集成电路兼容工艺。在CMOS集成电路工艺的基础上增加一次双极晶体管的基区注入,CMOS特性不改变。
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本文介绍了一种新型的旋涂硼掺杂剂。这种掺杂剂是根据硼-氮的化学性质制作出来的,它不同于根据硼-氧化学性质制作的常规旋涂硼掺......
