【摘 要】
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专利申请号:CN201810922756公开号:CN109142476A申请日:2018.08.14公开日:2019.01.04申请人:青岛科技大学本发明公开了一种功能化二硫化钼纳米片复合膜修饰电极及其制备方法和检测双酚A的应用。先在含有巯基离子液体的N,N-二甲基甲酰胺溶液中对二硫化钼进行剥离,二硫化钼被剥离成薄片的同时被离子液体功能化,再与金纳米颗粒复合制得离子液体-二硫化钼纳米片-金纳米颗粒复合物,采用滴涂法制备了相应的复合膜修饰电极。所得修饰电极表面具有有效面积大、活性位点多、分散性好等特点,在提
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专利申请号:CN201810922756公开号:CN109142476A申请日:2018.08.14公开日:2019.01.04申请人:青岛科技大学本发明公开了一种功能化二硫化钼纳米片复合膜修饰电极及其制备方法和检测双酚A的应用。先在含有巯基离子液体的N,N-二甲基甲酰胺溶液中对二硫化钼进行剥离,二硫化钼被剥离成薄片的同时被离子液体功能化,再与金纳米颗粒复合制得离子液体-二硫化钼纳米片-金纳米颗粒复合物,采用滴涂法制备了相应的复合膜修饰电极。所得修饰电极表面具有有效面积大、活性位点多、分散性好等特点,在提
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美术教育在学前教育中有着重要的地位,对儿童创造力和想象力的培养具有积极意义。当前,学前儿童美术教育依旧存在诸多问题,需 要教师积极进行课改,在提高儿童想象能力与创造性思维的同时,引导儿童发现美、欣赏美、创造美,从而促进儿童美育的全面发展。
小径分绿地问题是七年级数学的常见题型,主要考查学生运用平移知识的能力,对培养学生的空间想象能力具有重要价值.教学中,教师通常会引导学生用“整体减部分”的方法或者平移法来求解,但平移法不能简单运用于所有的此类问题.对此,教师可引导学生从两条小径相交的“至少有一直”和“斜与斜”这两种情况进行综合考量.
2017年创始于湖南株洲的王捌院子可以说开了湖南庭院餐饮的先河,在株洲带动院子餐饮热潮,又于2020年在长沙开店,成为餐饮圈内外的打卡地。王捌院子总经理叶结才介绍说:“我们的院子打造的是湖南庭院,定位为野趣厨房。一城一院,一院一景。”王捌院子以产于湖南常德汉寿的甲鱼为招牌特色,其既是湘菜的特色食材,又切中健康与宴请的多重消费需求。
“TeV物理”团队致力于粒子物理中新物理唯象学研究,主要集中于超对称物理、Top夸克物理、Higga物理及暗物质物理的研究.自2012年成立以来,团队在国际有影响力的期刊上发表SCI一二区论文40余篇;在Higgs和暗物质物理方面做出了有一定影响的工作.特别是团队尝试修改最小超对称理论来解决该模型不能自然地解释LHC测量的Higgs粒子质量问题,以及大质量弱相互作用粒子作为暗物质受实验结果强烈限制的问题.
2019年,我国企业境外并购金额从2016年的1353.3亿美元下降至342.8亿美元,呈现出断崖式跌落,并且境外并购在对外直接投资中的占比一直持续下降,占比从2004年的54.5%下降至2019年的12.6%。可见,我国企业越来越多地选择其他境外投资方式,其中,一般股权投资是常见的选择之一。本文将从阐述二者的优劣势入手,分析我国企业选择境外股权投资方式时的考量因素。
你有没有自己尝试过制作乐器﹖在刚刚拿起吉他开始学习的时候,我是距离音乐最近的人,被音乐的魅力深深吸引,每每练习都乐在其中。其实,不熟练或者不完美,是做一切事情之初都可能出现的正常现象,但是,不要畏惧,要拥抱和享受这个阶段。就像我们学科学、做科学一样,要大胆尝试,给不熟练和不完美一个大大的微笑。向声音说你好,今天,我们就来尝试用身边的物品,制作一个声音发生器——吉他。
\"在建设延崇高速的过程中压力确实大,但也正是这种压力让我得到磨炼和成长,始终感到重任在肩,必须把延崇高速干好,完成国家交给我们的任务。\"回忆起延崇高速松山隧道的建设历程,中交集团所属中交一公局集团五公司总经理助理汤智力这样说道。延崇高速是2022年北京冬奥会重要交通保障项目,而松山隧道作为全线\"卡脖子\"工程,在开建的那一刻,就被定下了\"松山通则延崇通\"的基调。
亿万年前,众生的生死之轮被上帝之手放入轨道,向着已知的方向开启了惊心动魄的未知之旅。而这命运之轮中的人,却尽其数代挣扎,欲从一隅预见未来,人类将走向何方……“这里是俯瞰脚下这片土地最好的高点,只是好久不曾见过晨曦了。现在、未来,这片天空都将一步步走向黑暗,8分钟后我们将永远失去光明。”文明中心物理研究室研究员狄卡森走下观测台,暗暗思索着。或许,这将是他对这里的最后一次深情瞭望。
在小学数学课程教学中,教师将数学知识与生活理论知识结合到一起,利用生活化的教学模式带动学生走入课堂,提高学生的整体参与度,让学生从课堂中领悟生活中的数学,并学会用数学知识解决生活中的问题。论文主要从三个方面展开探讨,从多个角度展开讨论,提出了有效应用小学数学生活化的教学策略。
专利申请号:CN201811013179公开号:CN109136926A申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04申请人:深圳市华星光电技术有限公司一种用于铜钼膜层的刻蚀方法和刻蚀装置,刻蚀方法包括:步骤S10,在基板上形成铜钼膜层;步骤S20,在铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶;步骤S30,将形成有光刻胶的基板置于刻蚀装置中;步骤S40,对刻蚀装置内部进行紫外线照射,以及向刻蚀装置内充注臭氧;步骤S50,利用刻蚀液对铜钼膜层进行刻蚀。本发明能够提高刻蚀效率和产能,另外,也能够减少刻蚀液的用量