低介电常数多孔二氧化硅薄膜的制备与性能研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lyt0821

【摘要】

：

利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜.通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450 nm～3 000 nm范围内可控,薄膜孔率为59%.用FTIR光谱分析了不同热处理温度下

【作者】

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李靓姚熹张良莹

【机构】

：

同济大学功能材料研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

多孔二氧化硅薄膜 Sol—Gel 低介电常数电学性能 porous silica film Sol-Gel low-k electrical prop

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利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜.通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450 nm～3 000 nm范围内可控,薄膜孔率为59%.用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构.研究了多孔二氧化硅薄膜的介电常数、介电损耗、漏电流等电学性能,结果表明多孔二氧化硅薄膜本征的介电常数为1.8左右,是典型的低介电常数材料.并通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征.

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