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研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响.提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益.原因是:①基区杂质浓度增加,减弱了发射极向基区注入多子,增强了基区向发射区的少子注入;②增加硅化物厚度会增加其横向扩展,减小发射极的注入效率.
SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究
【摘 要】
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研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响.提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益.原因是:①基区杂质浓度增加,
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2004年4期
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