【摘 要】
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p+屏蔽区的槽栅4H-SiC功率MOSFET可以进行优化设计,优化结构由2个n型导电柱、3个p型导电柱、氧化物和轻掺杂n型电流扩散层(NCSL)构成,其中氧化物位于栅极沟槽下方,NCSL位于p-
【机 构】
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萍乡学院机械电子工程学院,萍乡市工业学校
【基金项目】
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江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ191154),萍乡学院青年科研基金(2018D0230),江西省高等学校大学生创新创业训练计划项目(S202010895020)
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p+屏蔽区的槽栅4H-SiC功率MOSFET可以进行优化设计,优化结构由2个n型导电柱、3个p型导电柱、氧化物和轻掺杂n型电流扩散层(NCSL)构成,其中氧化物位于栅极沟槽下方,NCSL位于p-body下。n型导电柱、p型导电柱与NCSL形成的电流路径,加速了横向电流在外延层的扩散,缓解沟槽底部角处的高电场,进而减小了比导通电阻(R_(on,sp)),提高了击穿电压(V_(BR))。优化结构在Silvaco TCAD环境下的二维仿真结果表明:结构优化前后的沟槽MOSFET的R_(on,sp)、V_(BR)
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