【摘 要】
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采用第一性原理方法对如何改善电荷俘获存储器的过擦现象进行了研究。过擦是由于氮空位中Si原子对电荷的局域能力弱导致,因此,在Si3N4超胞中分别建立了以C, N, O替换氮空位中
【机 构】
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安徽大学电子信息工程学院,中国科学院合肥物质科学研究院信息中心
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：61376106）资助的课题.
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采用第一性原理方法对如何改善电荷俘获存储器的过擦现象进行了研究。过擦是由于氮空位中Si原子对电荷的局域能力弱导致,因此,在Si3N4超胞中分别建立了以C, N, O替换氮空位中的Si原子的缺陷结构作为本文的研究模型。分别计算了擦写之后体系的巴德电荷分布、相互作用能、态密度,借以分析替位原子对过擦的影响。巴德电荷分布的计算结果表明, Si3N4在O替位128号Si后的过擦现象被明显改善； C替位128号Si也可以改善过擦,但由于C替位对电荷的局域作用变弱,不利于电荷的存储实现；N替位128号Si则不能改善过
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