采用助熔剂提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的铁掺量不同的化学计量比铌酸锂晶体,研究总结出了最佳生长工艺参数。通过对晶体X-射线衍射结果的分析,发现杂质离子的掺入不会改变铌酸锂晶体原有的晶格结构,但是晶格常数会有所变化,并且晶格常数会随着掺铁量的提高逐步增大。通过分析晶体的红外吸收光谱及紫外—可见吸收光谱,结合相关的缺陷结构模型,研究了掺铁化学计量比铌酸锂晶体中杂质离子的占位机理。通过二波耦合实验研究了掺铁化学计量比铌酸锂晶体的光折变性能,结果表明:随着掺铁浓度的提高,掺铁近化学计量比铌酸锂晶体的响应时间增加。对于同一个掺铁化学计量比铌酸锂晶体样品,氧化还原处理对晶体的光折变性能影响明显,还原态有较短的写入时间,而氧化态有较长的擦除时间。衍射效率不仅与掺铁量有关而且与写入光强有关。低掺杂时衍射效率受掺铁量的影响为主;而高掺杂时,掺杂浓度和写入光强同时影响着衍射效率。利用透射光斑畸变法研究了掺铁化学计量比铌酸锂晶体掺杂量对晶体抗光损伤性能的影响,结果表明由于化学计量比铌酸锂晶体中的缺陷浓度小,光折变敏感杂质浓度也低,从而就不易于发生光损伤。当晶体中铁掺入量变化时,随着掺杂浓度提高,抗光损伤能力也随之稍有降低。但与掺铁量相同的同成分试样相比抗光损伤能力要明显提高。