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利用有限元分析方法、借助 ANSYS软件 ,对 SOI单晶硅压力传感器进行一系列的分析和计算机模拟 ,探讨了传感器应变膜在固定宽度或固定面积条件下、宽长比对理论输出的影响 ,以及应变膜厚度对理论输出的影响 ,给出了设计应变膜的优化方案 ;并对根据模拟结果首次制作的 SOI单晶硅压力传感器进行了测量 ,结果与理论值符合得较好