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本文建立了半导体微腔的缀饰激子模型，在ＶＣＳＥＬ器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合，形成缀饰态。而后作为多粒子过程，缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过ＱＥＤ方法，我们得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰 变方程。从方程解的讨论中，我们得到超辐射和偶极子微腔方向 效应的结果，同时预言民当内场耦合足够强时，缀 激子可以直接辐射到一个很的激光模中。