ITO电极修饰对PMMA绝缘层性能的影响

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使用苯膦酸分子对ITO基底进行表面修饰,接触角测量表明修饰后ITO表面疏水性提高,修饰前ITO对水的接触角为23.25°,修饰1 h、2 h、3 h后接触角分别为50.75°、71.50°和73.25°,原子力显微镜测试表明在修饰时间为2 h时达到最小表面粗糙度2.10 nm.然后通过旋涂的方法在ITO玻璃衬底上制备PMMA绝缘层,ITO修饰之后可以得到更加均匀致密、粗糙度更小的PMMA薄膜,粗糙度达到0.481 nm.最后真空蒸镀Al电极,得到ITO/PMMA/Al电容结构,利用Agilent B1500A半导体参数测试仪,通过C-V和I-V方法的检测它的电学特性.实验结果表明,使用苯膦酸修饰ITO表面后可以得到粗糙度更小,漏电流更小,稳定性更佳的PMMA绝缘层.
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