【摘 要】
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实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si(111)衬底上的生长。探讨了生长温度与氨
【机 构】
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太原理工大学材料科学与工程学院,太原理工大学太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51672185),山西省自然科学基金资助项目(201801D121101)
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实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si(111)衬底上的生长。探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对InN的晶体结构、形貌和元素组成进行表征。分析结果表明:固定NH3流量,随着生长温度的升高,InN形貌由分离的薄片状转变为交织的圆饼状,其中非极性(100)晶面取向性增强,晶体质量得到改善;保持生长温度恒定,增加氨气
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