【摘 要】
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GaN是一种具有广泛应用前景的光电子材料,但是,用于制造器件的GaN都是在不同衬底上外延生长得到的.在常用的Al2O3 和 SiC衬底上沿[0001]方向直接生长的GaN外延膜存在有较高的
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GaN是一种具有广泛应用前景的光电子材料,但是,用于制造器件的GaN都是在不同衬底上外延生长得到的.在常用的Al2O3 和 SiC衬底上沿[0001]方向直接生长的GaN外延膜存在有较高的缺陷密度(108～1010 cm-2)[1],研究发现在SiC衬底上侧向外延(ELO)生长的GaN线缺陷密度可低达105 cm-2[2].目前对GaN侧向外延的研究主要是实验,其形成机理还不清楚.由于天然的GaN很难得到,它的同质侧向外延生长也就很难实现,而SiC和GaN具有相近的晶格常数和温度参数,在实验上被广泛用做外
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