【摘 要】
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基于先进的0.35μm BCD工艺,对传统欠压保护电路缺点进行分析,设计实现了一种可应用于电机驱动芯片的欠压保护电路。电路结构简单,不需要额外的带隙基准电路,同时也省去了电
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院嘉兴微电子与系统工程中心
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基于先进的0.35μm BCD工艺,对传统欠压保护电路缺点进行分析,设计实现了一种可应用于电机驱动芯片的欠压保护电路。电路结构简单,不需要额外的带隙基准电路,同时也省去了电压比较器电路。特别地,电路考虑了器件的温度特性,减少温度变化对电路的翻转阈值和迟滞量的影响。通过使用Cadence Spectre工具进行电路仿真,结果表明电路工作正常,当电源电压降低到2.7 V时,输出低电平,当电压重新上升到2.83 V时,输出恢复到高电平,迟滞量为0.13 V,具有迟滞功能。
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