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这里基于弹性力学的接触理论,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态,提出了通过改变工件相对夹具的负载比,进行均衡压力场抛光技术的研究,较好地解决了大尺寸硅片的平面加工问题.使用该项技术可使半导体晶片抛光的平面度达到 0.25～ 0.33μ m/Φ 76mm.
均衡压力场平面抛光技术的研究
【摘 要】
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这里基于弹性力学的接触理论,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态,提出了通过改变工件相对夹具的负载比,进行均衡压力场抛光技术的研究,较好地解决了大尺寸硅片
【机 构】
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沈阳建筑工程学院
【出 处】
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机械设计与制造
【发表日期】
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2003年3期
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