【摘 要】
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报道了使用分子束外延（Molecular beam epitaxy，MBE）技术，在（211）B碲镉汞（CdZnTe，CZT）衬底上生长中长波双色碲镉汞（HgCdTe，MCT）薄膜材料，生长温度为180℃，研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧
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报道了使用分子束外延（Molecular beam epitaxy，MBE）技术，在（211）B碲镉汞（CdZnTe，CZT）衬底上生长中长波双色碲镉汞（HgCdTe，MCT）薄膜材料，生长温度为180℃，研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度与缓冲层生长等关键技术，实现了中长波双色碲镉汞薄膜生长，外延薄膜采用相差显微镜、扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、二次离子质谱仪（SIMS）及X射线衍射仪（XRD）对薄膜的表面缺陷、厚度、组分及其均匀性、薄膜纵向组分以
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