【摘 要】
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采用低压化学气相沉积法在6H—SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜，利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析，研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征，讨论了XRD峰位与薄膜的
【基金项目】
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国家自然科学基金(6107611);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金(602-210809)
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采用低压化学气相沉积法在6H—SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜，利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析，研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征，讨论了XRD峰位与薄膜的组分结构的关系，为进一步改善薄膜的性能提供了依据。结合XPS和XRD综合分析可知，薄膜中Ge、C组分高达30．86％和9．06％，确为SiCGe相，并不是SiGe和SiC的简单结合。测试发现，SiCGe多晶薄膜为立方结构，在〈110〉和〈310〉方向上择优生长。
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