【摘 要】
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采用聚乙烯咔唑作为活性层构建了ITO/PVK/Al的三明治结构阻变存储元件,并对其阻变特性进行了测量。结果表明其具有明显的非挥发型双稳态阻变特性,具有WORM存储特性。该元件具
【机 构】
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齐齐哈尔大学校办公室,齐齐哈尔大学通信与电子工程学院,电子工程黑龙江省高校重点实验室
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采用聚乙烯咔唑作为活性层构建了ITO/PVK/Al的三明治结构阻变存储元件,并对其阻变特性进行了测量。结果表明其具有明显的非挥发型双稳态阻变特性,具有WORM存储特性。该元件具有良好的数据保持能力和耐久能力,开关态电流比可达103,且具有较低的阈值转换电压。分别对低阻态和高阻态的载流子传输机制进行了拟合,低阻态为欧姆传导机制,高阻态为空间电荷限制电流发射机制。根据载流子传输机制,对阻变特性进行了解释。
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