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在化学机械抛光(CMP)过程中,压力是影响晶片最终抛光效果的主要因素之一,采用合理的压力控制方法,把压力控制在一定的范围内才能满足化学机械抛光的工艺要求。运用最小二乘法拟合曲线的算法实现压力值精确控制的设计方法,并通过MINITAB仿真及抛光实验验证其可行性。
最小二乘法在抛光设备压力控制中的应用
【摘 要】
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在化学机械抛光(CMP)过程中,压力是影响晶片最终抛光效果的主要因素之一,采用合理的压力控制方法,把压力控制在一定的范围内才能满足化学机械抛光的工艺要求。运用最小二乘法
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十五研究所,华北石油管理局水电厂
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2014年12期
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