铝电解电容器中密封橡胶材料的阻隔性及影响机理研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:crazy5555
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
电容器密封橡胶的特性对电容器寿命有重要影响.研究了硅橡胶密封胶片(SR)、丁基橡胶密封胶片(ⅡR)、三元乙丙橡胶密封胶片(EPDM)耐洗板水性能及对氯的阻隔性,并通过燃烧裂解与离子色谱联用、SEM表征、热重分析测试、溶胀测试分析影响机理.实验发现,硅橡胶(SR)对洗板水有很强的吸附性,15 min后,SR质量的增加超过150%,而三元乙丙橡胶(EPDM)和丁基橡胶(ⅡR)质量增量在50%左右.在阻隔性测试中,ⅡR表现出了良好的对氯的阻隔性,EPDM次之,SR最差.通过扫描电镜(SEM)、热重分析仪对密封橡胶的断面结构、填料添加量及热稳定性进行研究,发现EPDM和IIR含有大量的无机填料,这可能是两者阻隔性好的主要原因之一.在150℃的温度范围内,EPDM在升温的过程中失重最小,热稳定性最好,SR次之,ⅡR失重最多.
其他文献
水系锌离子电池(AZIBs)因其良好的电化学性能以及安全、实用等优点,在未来大规模储能技术领域具有良好发展前景.综述了AZIBs材料方面的研究与发展现状,介绍了AZIBs的储能机制,重点对MnO2、VO2、V2 O5阴极材料和锌金属阳极材料进行论述分析;同时对AZIBs结构中的缺陷进行总结讨论,并提出相应的改进策略;最后,提出AZIBs未来发展方向,期望能够激发更多的创新研究以推动其发展与实际应用.
建筑性能模拟(Building Performance Simulation)包含对建筑围护结构、室内环境、能源消耗的模拟与计算,以及对运行故障的预测和诊断,对于我国绿色建筑行业的发展和节能减排目标的实现具有重要的推动作用.由于建筑系统的复杂性,建筑性能仿真模型通常难以完全描述真实的建筑运行状况,从而在建筑运行能耗和物理参数上表现出与实际数据之间的差异(Performance Gap).为了获取更准确可靠的仿真结果,我们常常以实测建筑数据为依据,对模型的输入参数进行修正,即模型校验或校验模拟(Calibr
实施科技项目是推动科技创新战略的重要抓手,科技项目管理模式也应随着企业的发展不断优化.对科技项目立项评价工作进行优化,是提高科技项目实施质量的有效手段之一.针对矿业企业科技项目立项评审,构建了新的评价指标体系,采用层次分析法确定了各指标的权重,对相关企业改进科技项目立项评审工作具有参考意义.
文中通过分析无人系统协同通信系统的特殊性,提出了一种针对地面无人系统的协同通信系统,设计了新型无人协同网络架构、协同控制适配器和网络协同控制通信波形,实现了对现有通信波形的认知接入,以及本级协同控制的认知组网.仿真结果表明,设计方案可有效满足无人协同行动的需求.
采用磁控溅射和二维胶体模板相结合的方法,溅射气压为2.5 Pa时,在p-Si衬底上制备了40 nm厚的ZnO多孔纳米薄膜.同时采用磁控溅射方法,在p-Si衬底上制备了同样厚度的ZnO纳米薄膜.两种薄膜均与p-Si衬底形成异质结.采用扫描电子显微镜(SEM)和转靶X射线衍射仪(XRD)对两种薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.采用4200-SCS气敏测试系统分析了两种薄膜异质结的I-V特性和室温气敏特性.结果表明,ZnO多孔纳米薄膜异质结的气敏性能优于ZnO纳米薄膜,在16000 ppm的丙酮(C3 H6
BGA封装具有高集成、小型化和高可靠性的优点,被大量应用于微电子封装领域.PbSn和SAC305是常用的BGA焊球,其杨氏模量、硬度和屈服应力等力学性能参数对焊点和器件整体可靠性的评估至关重要.首先通过纳米压痕实验获得PbSn和SAC305焊球的载荷-位移曲线,采用Oliver-Pharr方法计算出两种焊球的杨氏模量和硬度;然后结合有限元分析与无量纲函数,反演出焊球的应力-应变曲线从而得到屈服应力;最后,提出衡量参数λ作为评价指标,对比研究了不同拟合方程对纳米压痕加载过程曲线的拟合效果.研究结果表明,方程
在相同树脂基体中填充质量分数80%的不同尺寸形貌的银粉填料制成导电胶,通过对比体积电阻率、热导率、剪切强度和粘度,研究银粉填料的尺寸与形貌对导电胶性能的影响.结果表明:银粉尺寸越大,导电胶体积电阻率和剪切强度越低、热导率越高,球状银粉与块状银粉导电胶的粘度随银粉尺寸增大而降低,而片状银粉导电胶的粘度随银粉尺寸增大而增大.片状银粉导电胶的体积电阻率平均为2.3×10-4Ω·cm,比球状银粉和块状银粉导电胶低一个数量级,片状银粉导电胶热导率最高为3.5 W·(m·K)-1,高于球状银粉和块状银粉导电胶的1.2
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理OTFG赝势法,研究了本征CuI、二维CuI以及二维CuI掺杂Ni、Cu后的晶体结构、电子结构以及光学性质.结果表明:Ni、Cu掺杂后的二维CuI发生晶格畸变,晶格常数变大,并在二维CuI禁带中引入杂质能级,导致禁带变窄.掺杂Ni、Cu使得费米能级上移进入导带,增强了CuI的金属性质.此外,掺杂Ni后的二维CuI存在自旋极化,体系表现出半金属性质.光学性质计算结果表明:掺杂后的二维CuI介电函数虚部主峰出现红移,吸收系数显著提高,并且很好地改善了其在可见光区的光
薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件.微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注.基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件.在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm2/(V·s),开关电流比大于108.该迁移率与喷墨打印制备的IGZO-TFT器件的迁移率(1.41 cm2/(V·s))相近,低于通过旋涂制备的器件迁移
目前商用DrMOS多采用引线键合方式互连,然而引线键合会产生大量寄生电感,生产效率低.针对上述问题,应用面板级封装(PLP)技术,提出一种DrMOS混合式互连封装工艺.分别建立混合式互连工艺与引线键合工艺封装体模型,通过有限元软件ANSYS相应计算模块进行电参数提取、散热能力分析、热应力与翘曲验证.仿真结果表明,同引线键合封装工艺相比,采用混合式互连工艺封装的器件上管MOSFET(HSMOS)源极电感降低53.5%,下管MOSFET(LSMOS)源极电感降低65.49%;混合式互连工艺模型热阻降低0.13